Datasheets - Transistores MOSFET Simple
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia LDMOS RF de 1000 W para aplicaciones de transmisor Doherty de transmisión asimétrica que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. La excelente robustez de este dispositivo lo hace ...- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 1000 W para aplicaciones de transmisión Doherty de radiodifusión asimétrica, que opera a una potencia promedio de 180 W DVB-T. Su excelente robustez lo hace ideal para ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...- Transistor LDMOS de potencia UHF Un transistor de potencia RF LDMOS de 140 W para aplicaciones de transmisión de radiodifusión e industriales. El transistor puede suministrar 140 W desde HF hasta 1 GHz. Su excelente robustez y rendimiento de banda ...
- MOSFET de canal P de 30 V El AO3401 utiliza tecnología de trinchera avanzada para brindar excelente RDS(ON), baja carga de compuerta y funcionamiento con voltajes de compuerta de tan solo 2,5 V. Este dispositivo es adecuado para usarse como ...
- MOSFET PowerTrench de canal P de 1,8 V especificado Este MOSFET de canal P de 1,8 V utiliza el proceso PowerTrench de bajo voltaje de Fairchild. Se ha optimizado para aplicaciones de gestión de energía de baterías.
MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...- MOSFET DE MODO DE MEJORA DEL CANAL P Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido (R DS(ON) ) y aún así mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de ...
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Transistores, arreglos y módulos Vishay IRFP22N60K
MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ... - MOSFET de potencia en encapsulado TO-247AC Características La baja carga de compuerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple Robustez mejorada frente a compuertas, avalanchas y dV/dt dinámico Capacitancia completamente ...
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Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP33N10EMOSFET de potencia de 33 amperios y 100 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor MTP20N20E
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor MTP20N20EMOSFET de potencia de 20 amperios y 200 voltios Este MOSFET de potencia está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo ... - Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
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Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único - MOSFET de canal N
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