Hojas de datos
Más
Only-Datasheet.com
Sobre nosotros Cooperación Publicidad Contactos
en - English ru - Русский de - Deutsch zh - 中文
Rlocman.es - Hojas de datos
Hojas de datos
Transistores MOSFET Simple

Datasheets - Transistores MOSFET Simple

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricantes
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed
Resultados de la búsqueda: 8,142 Salida: 1-20

Ver: Lista / Imágenes

  1. P2503NPG — Datasheet Niko Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple Niko Semiconductor P2503NPG
    Transistor de efecto de campo con modo de mejora de canal N y P
  2. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor CPH3362
    Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362
    MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  1. CPH3362-TL-W — Datasheet ON Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
    Transistores, arreglos y módulos ON Semiconductor CPH3362
    MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  2. JCS10N60CT-O-C-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Transistores MOSFET Simple JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60CT-O-C-N-B
    MOSFET de canal N
  3. JCS10N60FT-O-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Transistores MOSFET Simple JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-O-F-N-B
    MOSFET de canal N
  4. JCS10N60FT-R-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Transistores MOSFET Simple JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-R-F-N-B
    MOSFET de canal N
  5. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Transistores MOSFET Simple JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    MOSFET de canal N
  6. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Transistores MOSFET Simple JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    MOSFET de canal N
  7. 2SK2543 — Datasheet Toshiba
    Transistores MOSFET Simple Toshiba 2SK2543
    Transistor de efecto de campo
  8. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
    MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  9. BS107A — Datasheet ON Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor BS107A
    MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  10. ZVN3306A — Datasheet Diodes
    Transistores MOSFET Simple Diodes ZVN3306A
    Modo de mejora de canal N MOSTET
  11. 2SK1940-01 — Datasheet Inchange Semiconductor
    Transistores MOSFET Simple Inchange Semiconductor 2SK1940-01
    Transistor MOSFET de canal N
  12. IRFF330 — Datasheet Infineon
    Transistores MOSFET Simple Infineon IRFF330
    Transistores, arreglos y módulos Infineon IRFF330
    Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
  13. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
    Transistores MOSFET Simple International Rectifier IRF2804L
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
  14. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
    Transistores MOSFET Simple International Rectifier IRF2804S
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
  15. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
    Transistores MOSFET Simple International Rectifier IRF2804
    MOSFET de potencia HEXFET Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Las características ...
  16. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Transistores MOSFET Simple STMicroelectronics STF19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STF19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  17. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Transistores MOSFET Simple STMicroelectronics STD19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STD19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...
  18. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Transistores MOSFET Simple STMicroelectronics STB19NF20
    Transistores, arreglos y módulos STMicroelectronics STB19NF20
    MOSFET de potencia de canal N, 200 V, 0,11 ohmios típ., SUPERPOSICIÓN DE MALLA de 11 A en encapsulado TO-220 Estos Power MOSFET están diseñados utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidado de STMicroelectronics. El ...