Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 3

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  2. MOSFET de potencia HEXFET
  1. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  2. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  3. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  4. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  5. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  6. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  7. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  8. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  9. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  10. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  11. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  12. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  13. Datasheet Nexperia SI2302DS,215
    N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
  14. Datasheet Nexperia SI2302DS/G,215
    N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
  15. N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
  16. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  17. MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
  18. Datasheet Vishay IRFZ24PbF
    MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.