Datasheets - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "ON Semiconductor"
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  1. MOSFET de potencia de 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, canal P único
  2. MOSFET de señal pequeña, 250 mA, 200 V, canal N
  1. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  2. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de ...
  3. MOSFET PowerTrench de nivel lógico de canal P único -20 V, -2 A, 70 mΩ Este MOSFET de nivel lógico de canal P se produce utilizando un proceso avanzado de Power Trench que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo ...
  4. Nivel lógico de canal N PowerTrench MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la ...
  5. MOSFET de potencia UltraFET de canal N de 100 V, 75 A, 8 mΩ
  6. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N 100 V, 170 mA, 6 Ω Este MOSFET de modo de mejora de canal N se produce utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este producto ha sido diseñado para ...
  7. TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Este avanzado TMOS E-FET de alto voltaje está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y cambiar de manera eficiente. Este nuevo dispositivo de alta energía ...
  8. MOSFET de pequeña señal 200V 250mA 10 Ohm Canal N único TO-92 Nivel lógico Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje, como controladores de línea, controladores de relé, lógica CMOS, microprocesador ...
  9. FET digital de canal N de 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando una tecnología DMOS patentada de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para ...
  10. Puertas lógicas de 2 entradas configurables universales TinyLogic ULP-A El NC7SV57 y NC7SV58 son puertas lógicas de dos entradas configurables universales de la serie de energía ultrabaja (ULP-A) de ON Semiconductor de TinyLogic. ULP-A es ideal ...
  11. Potencia MOSFET 30V 35A 15 mOhm Canal N único DPAK Energía MOSFET 30 V, 35 A, canal N único, DPAK / IPAK
  12. MOSFET de potencia MOSFET de potencia 100 V, 12 A, canal N, nivel lógico DPAK
  13. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  14. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  15. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  16. MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 12 mΩ, D2PAK − 7L El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el ...
  17. Potencia MOSFET -500V -2A 6 Ohmios de un solo canal P TO-220 Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, ...
  18. PowerTrench de doble canal P MOSFET, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ

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