Datasheets - Transistores MOSFET Simple ON Semiconductor - 2

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "ON Semiconductor"
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  1. MOSFET PowerTrench de doble canal N de 2,5 V especificado 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
  2. PowerTrench especificado de 1.8V para canal P MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  1. MOSFET de señal pequeña complementario con protección ESD 20V
  2. Canal P 2.5V especificado PowerTrench MOSFET -20V, -10A, 13mΩ
  3. Canal T PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mΩ Este MOSFET de canal P se ha producido utilizando una tecnología patentada PowerTrench para ofrecer una baja DSR (encendido) y una capacidad Bvdss optimizada para ofrecer un beneficio de rendimiento ...
  4. PowerTrench de nivel lógico de un solo canal P MOSFET -20V, -1.3A, 200mΩ
  5. Canal N 2.5V especificado MOSFET PowerTrench ™ 20V, 1.7A, 70mΩ
  6. Potencia MOSFET 60 V, 20 A, Nivel lógico, Canal P DPAK
  7. Transistor de efecto de campo del modo de mejora del canal P -60V, -0.12A, 10Ω
  8. Nivel lógico de canal N MOSFET de potencia 100V, 12A, 200mΩ
  9. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N, 50 V, 220 mA
  10. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.28A, 5Ω
  11. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 0.115A, 7.5Ω
  12. Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N 60V, 200mA, 5 Ω
  13. Potencia MOSFET, canal P, QFET ® , -60 V, -27 A, 70 mΩ, TO-220
  14. N-Channel PowerTrench ® MOSFET 60V, 158A, 2.5mΩ
  15. Datasheet ON Semiconductor FDMS8690
    MOSFET de zanja de potencia de canal N 30V, 27A, 9.0mΩ
  16. FET digital, canal P
  17. MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V
  18. MOSFET PowerTrench® de nivel lógico de un canal P de 30V

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