Datasheets - Transistores MOSFET Simple Nexperia
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Nexperia"
Fabricantes
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BSP122 BUK7M3R3-40H BUK7S0R5-40H BUK7V4R2-40H BUK9M3R3-40H BUK9V13-40H GAN063-650WSA PHK12NQ03LT PMF170XP PMN50XP PMV20EN PMV60EN PSMN0R9-25YLC PSMN0R9-30ULD PSMN1R0-40ULD PSMN3R7-100BSE PSMNR55-40SSH SI2302DSResultados de la búsqueda: 18 Salida: 1-18
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N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...
MOSFET de trinchera de canal P de 20 V, 1 A Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) pequeño SOT323 (SC-70) que utiliza tecnología MOSFET de trinchera.
MOSFET de nivel estándar de 40 V, 0,55 mOhm, 500 A continuos de canal N en LFPAK88 con tecnología NextPowerS3 500 Amp de corriente continua, controlador de puerta de nivel estándar, MOSFET de modo de mejora de canal N en paquete LFPAK88. La familia ...- MOSFET de nivel estándar de canal N de 40 V, 0,5 mOhm en LFPAK88 MOSFET de canal N calificado para automoción que utiliza la última tecnología de superjunción de baja resistencia óhmica Trench 9, alojado en un paquete LFPAK88 con clip de cobre. ...
TrenchMOS de canal P FET de nivel extremadamente bajo
MOSFET de nivel lógico de 40 V y 13 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel lógico en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este ...- MOSFET de nivel estándar de 40 V y 4,2 mOhm de canal N doble en LFPAK56D (configuración de medio puente) MOSFET dual de canal N de nivel estándar en un paquete LFPAK56D (configuración de medio puente), que utiliza la tecnología Trench 9 TrenchMOS. ...
- MOSFET de zanja de canal N de 30 V
N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
N-canal vertical nivel lógico D-MOS FET
650 V, 50 mΩ Nitruro de galio (GaN) FET El GAN063-650WSA es un FET de nitruro de galio (GaN) de 650 V, 50 mΩ. Es un dispositivo normalmente apagado que combina las tecnologías de vanguardia GaN HEMT de alto voltaje de Nexperia y las tecnologías ...- MOSFET de canal N de nivel lógico calificado para automoción en un paquete LFPAK33 utilizando la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y calificado para AEC-Q101 para su uso en aplicaciones automotrices de alto rendimiento.
- MOSFET de canal N de nivel estándar calificado para automoción en un paquete LFPAK33 utilizando la tecnología Trench 9 TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y calificado para AEC-Q101 para su uso en aplicaciones automotrices de alto rendimiento.
- MOSFET de modo de mejora de canal N de unidad de puerta de nivel estándar en un paquete D2PAK calificado a 175 ° C. Parte de la cartera NextPower Live de Nexperia, el PSMN3R7-100BSE ofrece un DSon R muy bajo y un rendimiento de modo lineal (SOA) ...
- SOT1023A con fuga y espacio libre mejorados para cumplir con los requisitos de UL2595 280 A, nivel de lógica, puerta de entrada, modo de mejora de canal N MOSFET en paquete LFPAK56 de 150 ° C utilizando tecnología avanzada TrenchMOS Superjunction. ...
- SOT1023A con fuga y espacio libre mejorados para cumplir con los requisitos UL2595. MOSFET de modo de mejora de canal N del controlador de compuerta de nivel lógico de 300 A en el paquete LFPAK56. La cartera NextPowerS3 que utiliza la tecnología ...
- N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
- MOSFET de nivel lógico de canal N de 25 V 0.99 mΩ en LFPAK con tecnología NextPower
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