Datasheets - Transistores MOSFET Simple Fairchild
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Fairchild"
Fabricantes
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2N7000, 2N7002, NDS7002A BSS100 BSS123 BUZ11 FDC5614P FDC6312P FDD4141 FDD6637 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN337N FDN359AN FDS6675 FDS6679 FDS7788 FDV301N FDV303N FQP13N10 FQP13N10L IRF530A NDS0610 NDS8947 NDS9948 RF1S30N06LESM RFP30N06LE SI9424DYResultados de la búsqueda: 798 Salida: 1-20
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Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N- FET digital, canal N
Número de pieza: FDN302P Fabricante: Fairchild Descripción: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Descargar hoja de datos Legajo: FDN302P Octubre 2000 FDN302P MOSFET PowerTrench especificado de canal P de 2.5V Descripción general Especificaciones: Intensidad ...- FET digital, canal N Especificaciones: Id de corriente de drenaje continuo: 220 mA Identificación de corriente máxima: 220 mA Temperatura actual: 25 ° C Voltaje de la fuente de drenaje Vds: 25 V ESD HBM: 6 kV Profundidad externa: 2,5 mm Longitud / ...
- MOSFET PowerTrench de canal N de 30 V
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- 30A, 60V, Clasificación ESD, 0.047 Ohm, MOSFET de potencia de canal N de nivel lógico
30A, 60V, Clasificación ESD, 0.047 Ohm, MOSFET de potencia de canal N de nivel lógico Especificaciones: P30N06LE Intensidad Drenador Continua Id: 30 A Id. De corriente máx .: 30 A Temperatura actual: 25 ° C Drenaje Voltaje de fuente Vds: 60 V ...- Transistor de efecto de campo del modo de mejora del canal P -60V, -0.12A, 10Ω
- Canal P PowerTrench® MOSFET, -40V, -50A, 12.3mΩ
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