Datasheets - Transistores MOSFET Simple Efficient Power Conversion
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Efficient Power Conversion"
Fabricantes
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EPC2361: Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 100 V, 101 A La excepcionalmente alta movilidad de electrones y el bajo coeficiente de temperatura del nitruro de galio permiten un RDS (encendido) muy bajo, mientras que su estructura de ...- Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
- Transistor de potencia GaN en modo mejorado de 200 V, 260 A
Transistor de potencia en modo de mejora VDS, 100 V RDS (activado), 1,8 mΩ ID, 101 A ID pulsado, 408 A- Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 170 V, 102 A
Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 54 A VDS, 200 V RDS (activado), 22 mΩ ID, 14 A ID pulsado, 54 A- Transistor de potencia de GaN en modo de mejora de 200 V, 162 A VDS, 200 V RDS (activado), 8 mΩ ID, 32 A ID pulsado, 162 A
Transistor de potencia GaN de modo de mejora de 100 V, 37 A- Transistor de potencia GaN de modo mejorado de 350 V, 26 A
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