Datasheet SEMiX302GB066HDs (Semikron) - 4
| Fabricante | Semikron |
| Descripción | Trench IGBT Modules |
| Páginas / Página | 5 / 4 — SEMiX302GB066HDs. Rev. 1 – 13.01.2012. © by SEMIKRON |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 403 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
SEMiX302GB066HDs. Rev. 1 – 13.01.2012. © by SEMIKRON
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SEMiX302GB066HDs
Fig. 7: Typ. switching times vs. IC Fig. 8: Typ. switching times vs. gate resistor RG Fig. 9: Typ. transient thermal impedance Fig. 10: Typ. CAL diode forward charact., incl. RCC'+EE' Fig. 11: Typ. CAL diode peak reverse recovery current Fig. 12: Typ. CAL diode recovery charge
4 Rev. 1 – 13.01.2012 © by SEMIKRON
Fig. 7: Typ. switching times vs. IC Fig. 8: Typ. switching times vs. gate resistor RG Fig. 9: Typ. transient thermal impedance Fig. 10: Typ. CAL diode forward charact., incl. RCC'+EE' Fig. 11: Typ. CAL diode peak reverse recovery current Fig. 12: Typ. CAL diode recovery charge
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