Preliminary Datasheet ZHB6790 (Diodes) - 6
| Fabricante | Diodes |
| Descripción | SM-8 Bipolar Transistor H-Bridge |
| Páginas / Página | 8 / 6 — ZHB6790. NPN. TRANSISTOR. TYPICAL. CHARACTERISTICS. IC/IB=200. Tamb=25°C. … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 203 Kb |
| Idioma del documento | Inglés |
ZHB6790. NPN. TRANSISTOR. TYPICAL. CHARACTERISTICS. IC/IB=200. Tamb=25°C. -55°C. 0.8. +25°C. IC/IB=100. IC/IB=100. 0.8. +100°C. IC/IB=10. lts). 0.6. ts). o
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ZHB6790 NPN TRANSISTOR TYPICAL CHARACTERISTICS IC/IB=200 Tamb=25°C -55°C 0.8 +25°C IC/IB=100 IC/IB=100 0.8 +100°C IC/IB=10 lts) 0.6 ts) o ol 0.6 (V V - (- 0.4 0.4 V 0.2 V 0.2 0 0 0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10 IC - Collector Current (Amps) IC - Col ector Current (Amps) VCE(sat) v IC VCE(sat) v IC +100°C 1.6 V +25°C CE=2V -55°C +25°C -55°C 1.5K 1.6 IC/IB=100 1.4 +100°C ni 1.4 1.2 n lts) 1.2 d Ga 1.0 o e 1K s Gail (V 1.0 0.8 ali - cai 0.8 rm 0.6 yp 500 T- 0.6 No 0.4 - V 0.4 0.2 h h 0.2 0 0 0.01 0.1 1 10 0 0.01 0.1 1 10 IC - Collector Current (Amps) IC - Col ector Current (Amps) hFE v IC VBE(sat) v IC -55°C +25°C VCE=2V 1.6 +100°C 1.4 1.2 lts)oV 1.0 (- 0.8 V 0.6 0.4 0.2 0 0 0.01 0.1 1 10 IC - Col ector Current (Amps) VBE(on) v IC