Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon) - 10
Fabricante | Infineon |
Descripción | 3-Level 1200 V CoolSiC™ Module |
Páginas / Página | 11 / 10 — VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. … |
Revisión | 02_01 |
Formato / tamaño de archivo | PDF / 675 Kb |
Idioma del documento | Inglés |
VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
F3L11MR12W2M1_B65
VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon Datasheet 10 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /