Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 7
Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
- Canal N 75 V, 0,0095 ohmios típ., MOSFET de potencia STripFET II de 80 A en paquete TO-220 Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la ...
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MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220AB es el preferido ...
- Transistor de potencia de GaN en modo mejorado de 150 V, 329 A
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- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete DIP de 4 pines es un estilo de ...
- MOSFET de potencia Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete DIP de 4 pines es un estilo de ...
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