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eFuses
Datasheets - eFuses - 6
Subsección: "
eFuses
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Semiconductores
Circuitos integrados
Circuitos integrados de administración de energía
eFuses
Fabricantes
Texas Instruments
Toshiba
Resultados de la búsqueda:
126
Salida:
101-120
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TPS24750RUVT — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS24750
TPS24750RUVT
18V, 12A, 3mО © eFuse con IMON y PG 36-VQFN -40 a 85
TPS24750RUVR — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS24750
TPS24750RUVR
18V, 12A, 3mО © eFuse con IMON y PG 36-VQFN -40 a 85
TPS2421-2DDAR — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2421-2
TPS2421-2DDAR
20V, 5A, 33mО © eFuse con PG 8-SO PowerPAD -40 a 125
TPS2421-2DDA — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2421-2
TPS2421-2DDA
20V, 5A, 33mО © eFuse con PG 8-SO PowerPAD -40 a 125
TPS2421-1DDAR — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2421-1
TPS2421-1DDAR
20V, 5A, 33mО © eFuse con PG 8-SO PowerPAD -40 a 125
TPS2421-1DDA — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2421-1
TPS2421-1DDA
20V, 5A, 33mО © eFuse con PG 8-SO PowerPAD -40 a 125
TPS2420RSAT — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2420
TPS2420RSAT
20V, 5A, 33mО © eFuse con umbral de doble falla, IMON y PG 16-QFN -40 a 125
TPS2420RSAR — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
TPS2420
TPS2420RSAR
20V, 5A, 33mО © eFuse con umbral de doble falla, IMON y PG 16-QFN -40 a 125
PTPS259541DSGT — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
TPS2595
PTPS259541DSGT
EFuse de 12 V con protección contra sobretensión 8-WSON -40 a 125
PTPS259531DSGT — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
TPS2595
PTPS259531DSGT
EFuse de 12 V con protección contra sobretensión 8-WSON -40 a 125
UCC39151DP — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC39151
UCC39151DP
0-3A, 7-15V MOSFET de un solo lado con IC de intercambio en caliente, IQ de 20 mA en modo de reposo, comunicación. Temperatura. 16-SOIC 0 a 70
UCC39151PWPTRG4 — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC39151
UCC39151PWPTRG4
0-3A, 7-15V Single-Swap IC MOSFET de lado alto, 20mA IQ en modo de suspensión, comunicación. Temperatura. 24-TSSOP 0 a 70
UCC2915DPTRG4 — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC2915
UCC2915DPTRG4
0 a 3A, 7 a 15V MOSFET de CI de intercambio directo en caliente MOSFET, 100uA IQ en modo de reposo, temperatura industrial. 16-SOIC -40 a 85
UCC2915DPTR — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC2915
UCC2915DPTR
0 a 3A, 7 a 15V MOSFET de CI de intercambio directo en caliente MOSFET, 100uA IQ en modo de reposo, temperatura industrial. 16-SOIC -40 a 85
UCC39151PWPG4 — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC39151
UCC39151PWPG4
0-3A, 7-15V Single-Swap IC MOSFET de lado alto, 20mA IQ en modo de suspensión, comunicación. Temperatura. 24-TSSOP 0 a 70
UCC2918QP — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC2918
UCC2918QP
UCC39161DPG4 — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
UCC39161
UCC39161DPG4
0.6A, 4-6V de baja corriente Single-Swap IC MOSFET de lado alto, Comm. Temperatura. 8-SOIC
UCC39151DPG4 — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
UCC39151
UCC39151DPG4
0-3A, 7-15V MOSFET de un solo lado con IC de intercambio en caliente, IQ de 20 mA en modo de reposo, comunicación. Temperatura. 16-SOIC 0 a 70
UCC3915NG4 — Datasheet Texas Instruments
eFuses
Texas Instruments
UCC3915
UCC3915NG4
0-3A, 7-15V MOSFET de un solo lado con IC de intercambio en caliente, 100uA IQ en modo de suspensión, comunicación. Temperatura. 16-PDIP 0 a 70
UCC2918PWPTR — Datasheet Texas Instruments
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Texas Instruments
UCC2918
UCC2918PWPTR
0-4A, 3-6V bajo RDSON MOSFET de IC de intercambio en caliente único Hi-Side, temperatura industrial. 24-TSSOP -40 a 85
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