El amplificador JFET de doble canal N está diseñado para proporcionar un equilibrio entre muy poco ruido (en = 1.8nV / √Hz) y muy baja capacitancia de entrada (Ciss = 4pF)
Transistores de efecto de campo de silicio de canal P FET simétricos de unión de canal p de silicio en una envoltura de plástico TO-92 y destinados a la aplicación con interruptores analógicos, choppers, conmutadores, etc.
Transistores de efecto de campo de silicio de canal P FET simétricos de unión de canal p de silicio en una envoltura de plástico TO-92 y destinados a la aplicación con interruptores analógicos, choppers, conmutadores, etc.
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