Datasheets - Transistores MOSFET Simple - 2

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
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  2. Transistor MOSFET de canal N Accionamiento por motor, convertidor CC-CC, interruptor de alimentación y accionamiento por solenoide
  1. HEMT de ruido súper bajo El FHX35LG es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) diseñado para amplificadores de uso general, bajo ruido y alta ganancia en el rango de frecuencia de 2-18 GHz. Este dispositivo está empaquetado en paquetes ...
  2. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  3. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  4. MOSFET de potencia -30V -50A 25 mOhm Nivel lógico TO-220 de canal P único Este Power MOSFET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El diseño energéticamente eficiente también ofrece un diodo de drenaje a ...
  5. MOSFET de potencia HEXFET
  6. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  7. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  8. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  9. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  10. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  11. MOSFET de canal P de silicio, amplificador de potencia de baja frecuencia, par complementario con 2SJ160, 2SJ161 y 2SJ162 No recomendado para nuevos diseños
  12. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  13. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  14. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  15. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  16. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  17. MOSFET de canal P de silicio No recomendado para nuevos diseños
  18. Datasheet Nexperia SI2302DS,215
    N-canal TrenchMOS nivel lógico FET Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS. Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en ...