Datasheets - Transistores MOSFET Simple Infineon

Subsección: "Transistores MOSFET Simple"
Fabricante: "Infineon"
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  1. Transistores HEXFET de canal N de 400 V La tecnología HEXFET es la clave de la avanzada línea de transistores MOSFET de potencia HiRel de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento único de este último diseño de última ...
  2. Datasheet Infineon IRL520NPbF
    MOSFET de potencia de canal N único de 100 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia IR MOSFET utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, ...
  1. MOSFET de potencia HEXFET de canal N individual de 30 V en un paquete I-Pak
  2. MOSFET de potencia StrongIRFET de canal N único de nivel lógico de 30 V en un paquete TO-220 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  3. Datasheet Infineon BSP89H6327XTSA1
    Todos los productos de canal n Small Signal son adecuados para aplicaciones automotrices (excepto 2N7002).
  4. Datasheet Infineon IRF7389TRPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal doble N y P de 30 V en un paquete SO-8
  5. Datasheet Infineon IRF7425TRPBF
    -20V MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P en un paquete SO-8
  6. Datasheet Infineon AUIRL7732S2TR
    Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de grado automotriz de 40 V en un paquete DirectFET SC clasificado en 58 amperios optimizado con baja resistencia
  7. Datasheet Infineon IRF6775MTRPBF
    MOSFET de potencia IRFET de un solo canal N de 150 V en un paquete DirectFET MZ La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de ...
  8. Datasheet Infineon IRF6665PBF
    MOSFET de potencia IRFET de un solo canal N de 100 V en un paquete DirectFET SH para audio La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET está optimizada para baja R DS (encendido) y capacidad de alta corriente. Los dispositivos son ideales para ...
  9. Datasheet Infineon IRF3205PBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal simple de 55V en un paquete TO-220AB
  10. Datasheet Infineon IQE013N04LM6CGATMA1
    MOSFET de potencia de bajo voltaje OptiMOS 40V en paquete PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate con RDS líder en la industria (encendido) El IQE013N04LM6CG amplía la innovadora familia Source-Down con el MOSFET de potencia OptiMOS 40V de 1,35 mOhm ...
  11. Datasheet Infineon IQE013N04LM6ATMA1
    MOSFET de potencia de bajo voltaje OptiMOS 40V en paquete PQFN 3.3x3.3 Source-Down con R DS líder en la industria (encendido) Infineon ha ampliado su innovadora familia Source-Down con el IQE013N04LM6 1.35mOhm, 40V en un paquete de 3.3x3.3 PQFN. ...
  12. Datasheet Infineon AUIRLR014N
    Automotive Q101 55V MOSFET de potencia HEXFET de canal N único en un paquete D-Pak
  13. Datasheet Infineon IRLU024NPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal simple de 55V en un paquete I-Pak
  14. Datasheet Infineon IRLR024NTRLPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal único de 55V en un paquete D-Pak
  15. MOSFET de potencia HEXFET de canal N individual de 30 V en un paquete TO-220AB
  16. MOSFET de potencia HEXFET de canal simple de 55V en un paquete TO-220AB
  17. Datasheet Infineon IRLHM620TRPBF
    MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 20 V en un paquete PQFN 3.3 por 3.3
  18. Datasheet Infineon IPP230N06L3 G
    MOSFET N-Ch 60V 30A TO220-3

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