Datasheet 1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, К1НТ251 (ВЗПП-С) - 5
Fabricante | ВЗПП-С |
Descripción | Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эnитаксиально-планарных структуры п-р-п переключательных транзисторов |
Páginas / Página | 5 / 5 — и~1 11Фl( , tJ. 1HTl5l 1Hll51A,. K1Hll51 50 °. 10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f … |
Formato / tamaño de archivo | PDF / 596 Kb |
Idioma del documento | Ruso |
и~1 11Фl( , tJ. 1HTl5l 1Hll51A,. K1Hll51 50 °. 10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f = 125°( '•. 10 100 1000 1fJ(J(J0 15. 10 [к.пФ

Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
и~1 11Фl( , tJ
1HTl5l 1Hll51A,
K1Hll51 50 "°
10
10
10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f = 125°( '•
10 100 1000 1fJ(J(J0 15
JO
15
10 [к.пФ
1Hll51, IHTJSIA. 1 К1НТ151
l=lW~ t. Зааисимость макси
мально доnустимоrо
постоянного напряже
ния коп.nектор-эмит
тер от сопротивления
база-эмиттер о 1 i 1 10
8 \;: f=l НГи 6 ._ 15 Р». Он IHTl51. 1НТ151А
KIHTl51 11 , uJf, ,8 Зависимость емкости
эмиттерноrо перехода
от .аnряжения эмит
тер-база '
О 10 10 10 ,о и•.в Зааисимость емкости
коллекторного перехо
да от напряжения кол лектор-база