Datasheet IQE013N04LM6 (Infineon) - 9
Fabricante | Infineon |
Descripción | OptiMOS Power-MOSFET, 40V |
Páginas / Página | 13 / 9 — OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6. … |
Revisión | 02_00 |
Formato / tamaño de archivo | PDF / 1.4 Mb |
Idioma del documento | Inglés |
OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6. Diagram13:Avalanchecharacteristics. Diagram14:Typ.gatecharge. [A]. [V]. AV I. GS V. AV[µs]
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
OptiMOSTMPower-MOSFET,40V IQE013N04LM6 Diagram13:Avalanchecharacteristics Diagram14:Typ.gatecharge
102 10 20 V 32 V 8 6 25 °C 8 V 150 °C 100 °C
[A]
101
[V] AV I GS V
4 2 100 0 100 101 102 103 0 10 20 30 40 50
t AV[µs] Q gate[nC]
IAS=f(tAV);RGS=25Ω;parameter:Tj,start VGS=f(Qgate),ID=20Apulsed,Tj=25°C;parameter:VDD
Diagram15:Drain-sourcebreakdownvoltage Diagram Gate charge waveforms
44 43 42
[V]
41
BR(DSS) V
40 39 38-80 -40 0 40 80 120 160 200
T j[°C]
VBR(DSS)=f(Tj);ID=1mA Final Data Sheet 9 Rev.2.0,2020-07-15 Document Outline Description Table of Contents Maximum ratings Thermal characteristics Electrical characteristics Static characteristics Dynamic characteristics Gate charge characteristics Reverse diode Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Electrical characteristics diagrams Package Outlines Revision History Trademarks Disclaimer