Datasheet NV6115 (Navitas Semiconductor) - 4
| Fabricante | Navitas Semiconductor |
| Descripción | 650 V GaNFast Power IC |
| Páginas / Página | 22 / 4 — NV6115. 6.3. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. 6.4. Thermal … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 2.0 Mb |
| Idioma del documento | Inglés |
NV6115. 6.3. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. 6.4. Thermal Resistance. TYP. Final Datasheet. Rev Nov 22, 2019
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NV6115 6.3. ESD Ratings SYMBOL PARAMETER MAX UNITS
HBM Human Body Model (per JS-001-2014) 1,000 V CDM Charged Device Model (per JS-002-2014) 1,000 V
6.4. Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (6) Junction-to-Case 2.2 ºC/W ɵJC R (6) Junction-to-Ambient 50 ºC/W ɵJA (6) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2 oz Cu (FR4 PCB)
Final Datasheet 4 Rev Nov 22, 2019
HBM Human Body Model (per JS-001-2014) 1,000 V CDM Charged Device Model (per JS-002-2014) 1,000 V
6.4. Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (6) Junction-to-Case 2.2 ºC/W ɵJC R (6) Junction-to-Ambient 50 ºC/W ɵJA (6) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2 oz Cu (FR4 PCB)
Final Datasheet 4 Rev Nov 22, 2019