Datasheet NV6127 (Navitas Semiconductor) - 4
| Fabricante | Navitas Semiconductor |
| Descripción | 650 V GaNFast Power IC |
| Páginas / Página | 23 / 4 — NV6127. 6.3. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. 6.4. Thermal … |
| Formato / tamaño de archivo | PDF / 2.1 Mb |
| Idioma del documento | Inglés |
NV6127. 6.3. ESD Ratings. SYMBOL. PARAMETER. MAX. UNITS. 6.4. Thermal Resistance. TYP. Final Datasheet. Rev Nov 22, 2019
Línea de modelo para esta hoja de datos
Versión de texto del documento
NV6127 6.3. ESD Ratings SYMBOL PARAMETER MAX UNITS
HBM Human Body Model (per JS-001-2014) 1,000 V CDM Charged Device Model (per JS-002-2014) 1,000 V
6.4. Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (6) Junction-to-Case 1.5 ºC/W ɵJC R (6) Junction-to-Ambient 40 ºC/W ɵJA (6) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2 oz Cu (FR4 PCB)
Final Datasheet 4 Rev Nov 22, 2019
HBM Human Body Model (per JS-001-2014) 1,000 V CDM Charged Device Model (per JS-002-2014) 1,000 V
6.4. Thermal Resistance SYMBOL PARAMETER TYP UNITS
R (6) Junction-to-Case 1.5 ºC/W ɵJC R (6) Junction-to-Ambient 40 ºC/W ɵJA (6) Rɵ measured on DUT mounted on 1 square inch 2 oz Cu (FR4 PCB)
Final Datasheet 4 Rev Nov 22, 2019