Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD17313Q2
Numero de parteCSD17313Q2
Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2

MOSFET de potencia de canal N de 30 V NexFET ™ 6-WSON -55 a 150

Hojas de datos

CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 406 Kb, Revisión: E, Archivo publicado: sept 30, 2015
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY3000
CarrierLARGE T&R
Device Marking1733
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)20 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ2.1 nC
QGD Typ0.4 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V26 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V32 mOhms
VDS30 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.3 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK8127
    TMS320DM8127 Camera Starter Kit (CSK)
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
  • Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK388
    DM38x Camera Starter Kit (CSK)
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Notas de aplicación

  • Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6X5C
    PDF, 27 Kb, Archivo publicado: jun 29, 2011
    Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6x5x
  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011

Linea modelo

Serie: CSD17313Q2 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor