Datasheet NTE2387 - NTE Electronics N CHANNEL MOSFET, 800 V, 4 A, TO-220 — Ficha de datos

Descripción detallada

Manufacturer: NTE Electronics

Description: N CHANNEL MOSFET, 800 V, 4 A, TO-220

Download Data Sheet

Docket:
NTE2387 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Drain­Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Pulsed Drain Current, IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Total Dissipation (TC =

Specifications:

• Continuous Drain Current Id: 4 A
• Drain Source Voltage Vds: 800 V
• On Resistance Rds(on): 3 Ohm
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 V
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 V
• Transistor Polarity: N Channel

RoHS: Yes

Accessories:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB