Datasheet Infineon IGB110S101XTMA1 — Ficha de datos
| Fabricante | Infineon |
| Serie | IGB110S101 |
| Numero de parte | IGB110S101XTMA1 |
El IGB110S101 es un transistor de potencia en modo eléctrico de 100 V, normalmente desactivado, alojado en un pequeño encapsulado PQFN 3x3, lo que permite diseños con alta densidad de potencia.
Hojas de datos
Datasheet IGB110S101
PDF, 1.2 Mb, Idioma: en, Revisión: 01_00, Archivo subido: abr 23, 2025, Páginas: 18
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Gracias a su baja resistencia en estado activado, es la opción ideal para un rendimiento fiable en aplicaciones exigentes de alta tensión y alta corriente.
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Linea modelo
Serie: IGB110S101 (1)
- IGB110S101XTMA1
Clasificación del fabricante
- Power > Gallium nitride (GaN) > GaN transistors