Datasheet Nexperia SI2302DS/G,215 — Ficha de datos

FabricanteNexperia
SerieSI2302DS
Numero de parteSI2302DS/G,215
Datasheet Nexperia SI2302DS/G,215

N-canal TrenchMOS nivel lógico FET

Hojas de datos

Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 6, 2024, Páginas: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS.

Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en aplicaciones informáticas, de comunicaciones, de consumo e industriales.

Este producto ha sido descontinuado.

Linea modelo

Serie: SI2302DS (2)

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs > Small signal MOSFETs

Otros nombres:

SI2302DS/G215, SI2302DS/G 215