Datasheet Nexperia SI2302DS/G,215 — Ficha de datos
N-canal TrenchMOS nivel lógico FET
Hojas de datos
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 6, 2024, Páginas: 13
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora de canal N de nivel lógico en un paquete de plástico que utiliza tecnología TrenchMOS.
Este producto está diseñado y calificado para su uso únicamente en aplicaciones informáticas, de comunicaciones, de consumo e industriales.
Este producto ha sido descontinuado.
Linea modelo
Serie: SI2302DS (2)
- SI2302DS,215 SI2302DS/G,215
Clasificación del fabricante
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
Otros nombres:
SI2302DS/G215, SI2302DS/G 215