Datasheet New Jersey Semiconductor IRF123 — Ficha de datos
| Fabricante | New Jersey Semiconductor |
| Serie | IRF123 |
| Numero de parte | IRF123 |
MOSFET de potencia de canal N, 11 A, 60-100 V
Hojas de datos
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Kb, Idioma: en, Archivo subido: nov 27, 2022, Páginas: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de modo de mejora de canal n diseñados especialmente para aplicaciones de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controles de motores de CA y CC, controladores de relés y solenoides y otros circuitos de pulso.
Otras opciones
IRF120 IRF121 IRF122 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10
Clasificación del fabricante
- MOSFET