Datasheet IXYS IXTQ44P15T — Ficha de datos

Fabricante	IXYS
Serie	IXTQ44P15T
Numero de parte	IXTQ44P15T

MOSFET de potencia TrenchP

Hojas de datos

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PDF, 250 Kb, Idioma: en, Archivo subido: nov 15, 2022, Páginas: 8
TrenchP Power MOSFETs

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Descripción detallada

Los MOSFET de canal P de trinchera son adecuados para aplicaciones de conmutación de "lado alto" en las que se puede emplear un circuito de control simple con referencia a tierra, evitando circuitos de control adicionales de "lado alto" comúnmente involucrados cuando se usa un MOSFET de canal N.

Esto permite a los diseñadores reducir el número de componentes, mejorando así la simplicidad del circuito de accionamiento y la estructura general de costes de los componentes.

Además, permite el diseño de una etapa de salida de potencia complementaria con un MOSFET de canal N correspondiente, para una etapa de medio puente de potencia emparejada con un circuito de accionamiento simple.

Otras opciones

IXTA44P15T IXTH44P15T IXTP44P15T

Clasificación del fabricante

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate