Datasheet Analog Devices ADG636 — Ficha de datos
| Fabricante | Analog Devices |
| Serie | ADG636 |
Inyección de carga de 1 pC, fuga de 100 pA, CMOS, interruptor SPDT dual de ±5 V/+5 V/+3 V
Hojas de datos
Datasheet ADG636
PDF, 505 Kb, Idioma: en, Revisión: B, Archivo subido: abr 24, 2022, Páginas: 16
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
Extracto del documento
Precios
Estado
| ADG636YRUZ | ADG636YRUZ-REEL | ADG636YRUZ-REEL7 | |
|---|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| ADG636YRUZ | ADG636YRUZ-REEL | ADG636YRUZ-REEL7 | |
|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 |
| Package | 14-Lead TSSOP | 14-Lead TSSOP | 14-Lead TSSOP |
| Pins | 14 | 14 | 14 |
| Package Code | RU-14 | RU-14 | RU-14 |
Paramétricos
| Parameters / Models | ADG636YRUZ | ADG636YRUZ-REEL | ADG636YRUZ-REEL7 |
|---|---|---|---|
| BW -3 dB typ, Hz | 610M | 610M | 610M |
| Charge Injection, C | -1.2p | -1.2p | -1.2p |
| Device Config | (2:1) x 2 | (2:1) x 2 | (2:1) x 2 |
| Interface | Parallel | Parallel | Parallel |
| Leakage Switch ON typ, A | 10p | 10p | 10p |
| Operating Temperature Range, °C | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
| Package | 14-Lead TSSOP | 14-Lead TSSOP | 14-Lead TSSOP |
| Switch Ron typ, Ohms | 85 | 85 | 85 |
| Vs Span Dual max, V | 11 | 11 | 11 |
| Vs Span Dual min, V | 5.4 | 5.4 | 5.4 |
Plan ecológico
| ADG636YRUZ | ADG636YRUZ-REEL | ADG636YRUZ-REEL7 | |
|---|---|---|---|
| RoHS | Obediente | Obediente | Obediente |
Linea modelo
Serie: ADG636 (3)
Clasificación del fabricante
- Switches and Multiplexers > Dual-Supply Analog Switches and Multiplexers | Single-Supply Analog Switches and Multiplexers