Datasheet Analog Devices ADG636YRUZ-REEL7 — Ficha de datos
| Fabricante | Analog Devices |
| Serie | ADG636 |
| Numero de parte | ADG636YRUZ-REEL7 |
Inyección de carga de 1 pC, fuga de 100 pA, CMOS, interruptor SPDT dual de ±5 V/+5 V/+3 V
Hojas de datos
Datasheet ADG636
PDF, 505 Kb, Idioma: en, Revisión: B, Archivo subido: abr 24, 2022, Páginas: 16
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| Package | 14-Lead TSSOP |
| Pins | 14 |
| Package Code | RU-14 |
Paramétricos
| BW -3 dB typ | 610M Hz |
| Charge Injection | -1.2p C |
| Device Config | (2:1) x 2 |
| Interface | Parallel |
| Leakage Switch ON typ | 10p A |
| Operating Temperature Range | -40 to 125 °C |
| Package | 14-Lead TSSOP |
| Switch Ron typ | 85 Ohms |
| Vs Span Dual max | 11 V |
| Vs Span Dual min | 5.4 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: ADG636 (3)
- ADG636YRUZ ADG636YRUZ-REEL ADG636YRUZ-REEL7
Clasificación del fabricante
- Switches and Multiplexers > Dual-Supply Analog Switches and Multiplexers | Single-Supply Analog Switches and Multiplexers
Otros nombres:
ADG636YRUZREEL7, ADG636YRUZ REEL7