Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD — Ficha de datos
Fabricante | STMicroelectronics |
Serie | STGAP2SICD |
Conductor de compuerta dual de 4 A con aislamiento galvánico
Hojas de datos
Datasheet STGAP2SiCD
PDF, 705 Kb, Idioma: en, Archivo subido: feb 3, 2022, Páginas: 23
Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Todas las características- Carril de alta tensión hasta 1200 V
- Capacidad de corriente del controlador: disipador/fuente de 4 A a 25 °C
- Inmunidad transitoria dV/dt ±100 V/ns
- Retardo total de propagación de entrada-salida: 75 ns
- Opción de sumidero y fuente separados para una fácil configuración de manejo de la puerta
- 4 ABRAZADERA Miller
- Función UVLO
- Función de enclavamiento configurable
Estado
STGAP2SICD | STGAP2SICDTR | |
---|---|---|
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Embalaje
STGAP2SICD | STGAP2SICDTR | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Package | SSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 P | SSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 P |
Linea modelo
Serie: STGAP2SICD (2)
Clasificación del fabricante
- Power Management > Gate Drivers > Multiple Channel Drivers