Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD — Ficha de datos

FabricanteSTMicroelectronics
SerieSTGAP2SICD
Numero de parteSTGAP2SICD

Conductor de compuerta dual de 4 A con aislamiento galvánico

Hojas de datos

Datasheet STGAP2SiCD
PDF, 705 Kb, Idioma: en, Archivo subido: feb 3, 2022, Páginas: 23
Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Todas las características
  • Carril de alta tensión hasta 1200 V
  • Capacidad de corriente del controlador: disipador/fuente de 4 A a 25 °C
  • Inmunidad transitoria dV/dt ±100 V/ns
  • Retardo total de propagación de entrada-salida: 75 ns
  • Opción de sumidero y fuente separados para una fácil configuración de manejo de la puerta
  • 4 ABRAZADERA Miller
  • Función UVLO
  • Función de enclavamiento configurable

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

PackageSSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 P

Linea modelo

Serie: STGAP2SICD (2)

Clasificación del fabricante

  • Power Management > Gate Drivers > Multiple Channel Drivers