Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4TR — Ficha de datos

Controlador de medio puente de 600 V de alta densidad de potencia con dos modos de mejora GaN HEMT

Hojas de datos

PDF, 480 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 15, 2021, Páginas: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Extracto del documento

Todas las características

Sistema en paquete de 600 V que integra un controlador de puerta de medio puente y transistores de potencia de GaN de alto voltaje:
- Paquete QFN 9 x 9 x 1 mm
- R _{DS (ENCENDIDO)} = 225 mΩ
- I _{DS (MÁX.)} = 6,5 A
Capacidad de corriente inversa
Pérdida de recuperación inversa cero
Protección UVLO en el lado alto y bajo
Diodo de arranque interno
Función de enclavamiento
Pin dedicado para apagar la funcionalidad

Estado del ciclo de vida

Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Package

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Serie: MASTERGAN4 (2)