Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICS — Ficha de datos
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Serie | STGAP2SICS |
Controlador de puerta única de 4 A aislado galvánicamente para MOSFET de SiC
Hojas de datos
Datasheet STGAP2SICS
PDF, 567 Kb, Idioma: en, Archivo subido: marzo 29, 2021, Páginas: 24
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
Todas las características- Carril de alta tensión hasta 1200 V
- Capacidad de corriente del controlador: disipador / fuente de 4 A a 25 ° C
- Inmunidad transitoria dV / dt ± 100 V / ns en rango de temperatura completo
- Retardo de propagación de entrada-salida total: 75 ns
- Opción de fuente y sumidero separados para una fácil configuración de conducción de la puerta
- 4 Opción de pin dedicado Miller CLAMP
- Función UVLO
Estado
| STGAP2SICS | STGAP2SICSC | STGAP2SICSCTR | STGAP2SICSTR | |
|---|---|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Embalaje
| STGAP2SICS | STGAP2SICSC | STGAP2SICSCTR | STGAP2SICSTR | |
|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Package | SO 8 WIDE 300 | SO 8 WIDE 300 | SO 8 WIDE 300 | SO 8 WIDE 300 |
Linea modelo
Serie: STGAP2SICS (4)
Clasificación del fabricante
- Power Management > Gate Drivers > Single Channel Drivers