Datasheet ON Semiconductor NTH4L015N065SC1 — Ficha de datos
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Serie | NTH4L015N065SC1 |
| Numero de parte | NTH4L015N065SC1 |
MOSFET de carburo de silicio, canal N, 650 V, 15,6 mΩ, TO247−4L
Hojas de datos
Datasheet NTH4L015N065SC1
PDF, 280 Kb, Idioma: en, Revisión: 0, Archivo subido: feb 24, 2021, Páginas: 8
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
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Precios
Descripción detallada
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio.
Además, la baja resistencia ON y el tamaño compacto del chip garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la mayor eficiencia, una frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, una EMI reducida y un tamaño del sistema reducido.
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Embalaje
| Package | TO-247-4 |
| Package Code | 340CJ |
Plan ecológico
| Conformidad | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Clasificación del fabricante
- Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs