Datasheet Analog Devices ADA4625-2 — Ficha de datos
Fabricante | Analog Devices |
Serie | ADA4625-2 |
36 V, 18 MHz, bajo nivel de ruido, alimentación única de establecimiento rápido, RRO, amplificador operacional JFET
Hojas de datos
Datasheet ADA4625-1, ADA4625-2
PDF, 1.3 Mb, Idioma: en, Revisión: A, Archivo subido: jul 2, 2019, Páginas: 35
36 V, 18 MHz, Low Noise, Fast Settling Single Supply, RRO, JFET Op Amp
36 V, 18 MHz, Low Noise, Fast Settling Single Supply, RRO, JFET Op Amp
Extracto del documento
Precios
Estado
ADA4625-2ARDZ | ADA4625-2ARDZ-R7 | ADA4625-2ARDZ-RL | |
---|---|---|---|
Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
ADA4625-2ARDZ | ADA4625-2ARDZ-R7 | ADA4625-2ARDZ-RL | |
---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 |
Package | 8-Lead SOIC w/ EP | 8-Lead SOIC w/ EP | 8-Lead SOIC w/ EP |
Pins | 8 | 8 | 8 |
Package Code | RD-8-1 | RD-8-1 | RD-8-1 |
Paramétricos
Parameters / Models | ADA4625-2ARDZ | ADA4625-2ARDZ-R7 | ADA4625-2ARDZ-RL |
---|---|---|---|
0.1 to 10 Hz VNoise(typ), V p-p | 150n | 150n | 150n |
Number of Channels | 2 | 2 | 2 |
GBP(typ), Hz | 18M | 18M | 18M |
Iq/Amp(typ), A | 4m | 4m | 4m |
Operating Temperature Range, °C | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
Slew Rate(typ), V/us | 48 | 48 | 48 |
VNoise Density(typ), V/rtHz | 3.3n | 3.3n | 3.3n |
Vos TC(typ), V/°C | 200n | 200n | 200n |
Vos(max), V | 100µ | 100µ | 100µ |
Vs span(max), V | 36 | 36 | 36 |
Vs span(min), V | 5 | 5 | 5 |
Plan ecológico
ADA4625-2ARDZ | ADA4625-2ARDZ-R7 | ADA4625-2ARDZ-RL | |
---|---|---|---|
RoHS | Obediente | Obediente | Obediente |
Otras opciones
Linea modelo
Serie: ADA4625-2 (3)
Clasificación del fabricante
- Amplifiers > JFET Input Op Amps | High Voltage Op Amps ≥12V | Low Input Bias Current Op Amps (≤100 pA) | Low Noise Op Amps (≤ 10nV/√Hz) | Precision Op Amps (Vos ≤1mV & TCVos ≤2uV/C)