Datasheet Littelfuse IXTU02N50D — Ficha de datos
Fabricante | Littelfuse |
Serie | IXTU02N50D |
Numero de parte | IXTU02N50D |
MOSFET de potencia de alto voltaje
Hojas de datos
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 15, 2020, Páginas: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
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Precios
Descripción detallada
Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse.
En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización de puerta cero, pero por lo demás tienen características similares a las del MOSFET. Son adecuados para cambios de nivel, relés de estado sólido, reguladores de corriente y cargas activas.
Tipo de paquete: TO-251
Otras opciones
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Clasificación del fabricante
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode