Datasheet IXYS IXTU02N50D — Ficha de datos

Fabricante	IXYS
Serie	IXTU02N50D
Numero de parte	IXTU02N50D

MOSFET de potencia de alto voltaje

Hojas de datos

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PDF, 213 Kb, Idioma: en, Archivo subido: mayo 15, 2020, Páginas: 4
High VoltagePower MOSFET

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Descripción detallada

Los MOSFET de modo de agotamiento, a diferencia de los MOSFET de tipo de mejora regular, requieren un sesgo de puerta negativo para apagarse.

En consecuencia, permanecen en o por encima del voltaje de polarización de puerta cero, pero por lo demás tienen características similares a las del MOSFET. Son adecuados para cambios de nivel, relés de estado sólido, reguladores de corriente y cargas activas.

Tipo de paquete: TO-251

Otras opciones

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Clasificación del fabricante

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode