Datasheet Fujitsu MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 — Ficha de datos
| Fabricante | Fujitsu |
| Serie | MB85AS8MT |
| Numero de parte | MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 |
Memoria ReRAM 8M (1024 K x 8) Bit SPI
Hojas de datos
Datasheet MB85AS8MT
PDF, 1.6 Mb, Idioma: en, Archivo subido: agosto 27, 2019, Páginas: 31
Memory ReRAM 8M (1024 K x 8) Bit SPI
Memory ReRAM 8M (1024 K x 8) Bit SPI
Extracto del documento
Precios
Descripción detallada
MB85AS8MT es un chip ReRAM (memoria de acceso aleatorio resistivo) en una configuración de 1,048,576 palabras x 8 bits, que utiliza el proceso de memoria de resistencia variable y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para formar las celdas de memoria no volátiles.
- Configuración de bits: 8 Mbits (1,048,576 palabras x 8 bits)
- Interfaz periférica en serie: SPI (interfaz periférica en serie) Corresponsal al modo SPI 0 (0, 0) y al modo 3 (1, 1)
- Tamaño del búfer de escritura: 256 bytes
- Frecuencia de funcionamiento: 10 MHz (máx.)
Linea modelo
Serie: MB85AS8MT (3)
- MB85AS8MTPF-G-KBERE1 MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 MB85AS8MTPW-G-KBBERE1
Clasificación del fabricante
- Electronic Devices > Semiconductors > ReRAM (Resistive Random Access Memory)
Otros nombres:
MB85AS8MTPWGKBAERE1, MB85AS8MTPW G KBAERE1