Datasheet Analog Devices HMC636 — Ficha de datos

FabricanteAnalog Devices
SerieHMC636

Amplificador SMT IP3 alto, 0.2 - 4.0 GHz

Hojas de datos

Datasheet HMC636ST89, 636ST89E
PDF, 397 Kb, Idioma: en, Archivo subido: abr 7, 2019, Páginas: 6
GaAs pHEMT High Linearity Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
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Precios

Estado

HMC636ST89HMC636ST89EHMC636ST89ETRHMC636ST89TR
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

HMC636ST89HMC636ST89EHMC636ST89ETRHMC636ST89TR
N1234
Package3-Lead SOT-893-Lead SOT-893-Lead SOT-893-Lead SOT-89
Pins3333
Package CodeRK-3RK-3RK-3RK-3

Paramétricos

Parameters / ModelsHMC636ST89HMC636ST89EHMC636ST89ETRHMC636ST89TR
Freq Response RF(max), Hz4G4G4G4G
Freq Response RF(min), Hz200M200M200M200M
Gain dB(typ), dB13131313
Is(typ), A155m155m155m155m
NF(typ), dB2.52.52.52.5
OIP3(typ), dBm39393939
OP1dB(typ), dBm22222222
Operating Temperature Range, °C-40 to 85-40 to 85-40 to 85-40 to 85
RF Primary FunctionGain BlockGain BlockGain BlockGain Block
Vs(typ), V5555

Plan ecológico

HMC636ST89HMC636ST89EHMC636ST89ETRHMC636ST89TR
RoHSDesobedienteObedienteObedienteDesobediente

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Amplifiers > Gain Blocks
  • RF & Microwave > Gain Blocks