Datasheet Diodes DGTD65T40S2PT — Ficha de datos

FabricanteDiodes
SerieDGTD65T40S2PT
Numero de parteDGTD65T40S2PT

Parada de campo de 650 V IGBT en TO247

Hojas de datos

Datasheet DGTD65T40S2PT
PDF, 1.4 Mb, Idioma: en, Archivo subido: marzo 26, 2019, Páginas: 9
650V Field Stop IGBT In TO247
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

El DGTD65T40S2PT se produce utilizando la avanzada tecnología Field Stop Trench IGBT, que proporciona una excelente calidad y un alto rendimiento de conmutación.

Embalaje

PackageTO247 (Type MC)

Paramétricos

Anti Parallel DiodeYes
EOFF typ @ +25°C0.4 mJ
EON typ @ +25°C0.5 mJ
IC @ +100°C40 A
IC @ +25°C80 A
Power Dissipation @ TC = +25°C230 W
VCE(sat) max @ +25°C2.3 V
VCE(sat) typ @ +25°C1.8 V
VCES650 V

Clasificación del fabricante

  • Discrete > IGBTs