Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Ficha de datos

FabricanteDiodes
SerieDGTD65T15H2TF
Numero de parteDGTD65T15H2TF

650V Field Stop IGBT

Hojas de datos

Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Mb, Idioma: en, Archivo subido: marzo 26, 2019, Páginas: 9
650V Field Stop IGBT
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

El DGTD65T15H2TF se produce utilizando la avanzada tecnología Field Stop Trench IGBT, que proporciona un alto rendimiento, excelente calidad y alta resistencia.

Embalaje

PackageITO220AB (Type MC)

Paramétricos

Anti Parallel DiodeYes
EOFF typ @ +25°C0.086 mJ
EON typ @ +25°C0.27 mJ
IC @ +100°C15 A
IC @ +25°C30 A
Power Dissipation @ TC = +25°C48 W
Short Circuit5 µs
VCE(sat) max @ +25°C2 V
VCE(sat) typ @ +25°C1.65 V
VCES650 V

Clasificación del fabricante

  • Discrete > IGBTs