Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Ficha de datos
Fabricante | Diodes |
Serie | DGTD65T15H2TF |
Numero de parte | DGTD65T15H2TF |
650V Field Stop IGBT
Hojas de datos
Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Mb, Idioma: en, Archivo subido: marzo 26, 2019, Páginas: 9
650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
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Precios
Descripción detallada
El DGTD65T15H2TF se produce utilizando la avanzada tecnología Field Stop Trench IGBT, que proporciona un alto rendimiento, excelente calidad y alta resistencia.
Embalaje
Package | ITO220AB (Type MC) |
Paramétricos
Anti Parallel Diode | Yes |
EOFF typ @ +25°C | 0.086 mJ |
EON typ @ +25°C | 0.27 mJ |
IC @ +100°C | 15 A |
IC @ +25°C | 30 A |
Power Dissipation @ TC = +25°C | 48 W |
Short Circuit | 5 µs |
VCE(sat) max @ +25°C | 2 V |
VCE(sat) typ @ +25°C | 1.65 V |
VCES | 650 V |
Clasificación del fabricante
- Discrete > IGBTs