Datasheet Toshiba SSM6N813R — Ficha de datos
| Fabricante | Toshiba |
| Serie | SSM6N813R |
MOSFET de señal pequeña 2 en 1
Hojas de datos
SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Kb, Idioma: en, Archivo publicado: sept, 2018
Extracto del documento
Precios
Estado
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | ||
Embalaje
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 |
| Manufacture Package Code | TSOP6F |
Paramétricos
| Parameters / Models | SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF |
|---|---|---|---|
| Application Scope | Power Management Switches | ||
| Assembly bases | Thailand | ||
| Component Product (Q1) | SSM6N813R | ||
| Component Product (Q2) | SSM6N813R | ||
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V], mΩ | 112 | ||
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V], mΩ | 154 | ||
| Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max), V | 2.5 | ||
| Generation | U-MOSⅧ-H | ||
| Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.), pF | 242 | ||
| Internal Connection | Independent | ||
| Polarity | N-ch×2 | ||
| Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V], nC | 3.6 |
Plan ecológico
| SSM6N813R | SSM6N813R,LF | SSM6N813R,LXGF | |
|---|---|---|---|
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: SSM6N813R (3)
Clasificación del fabricante
- MOSFETs