Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP360 — Ficha de datos

FabricanteNew Jersey Semiconductor
SerieIRFP360
Numero de parteIRFP360

Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin (3 + Tab) TO-247AC

Hojas de datos

Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Kb, Archivo subido: jun 22, 2018, Páginas: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Extracto del documento

Precios

Paramétricos

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Continuous Drain Current23 A
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Power Dissipation280000 mW
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature Max150 °C
Operating Temperature Min-55 °C

Otras opciones

IRFP362

Clasificación del fabricante

  • MOSFET