Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP362 — Ficha de datos

FabricanteNew Jersey Semiconductor
SerieIRFP362
Numero de parteIRFP362

Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin (3 + Tab) TO-247AD

Hojas de datos

Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Kb, Archivo subido: jun 22, 2018, Páginas: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
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Precios

Paramétricos

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
MaterialSi
Maximum Continuous Drain Current23 A
Maximum Drain Source Voltage400 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Maximum Power Dissipation300000 mW
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature Max150 °C
Operating Temperature Min-55 °C

Otras opciones

IRFP360

Clasificación del fabricante

  • MOSFET