Datasheet Toshiba SSM3K357R — Ficha de datos

FabricanteToshiba
SerieSSM3K357R

Pequeños MOSFET de baja resistencia

Hojas de datos

SSM3K357R Data sheet/English
PDF, 461 Kb, Archivo subido: jun 18, 2018
Extracto del documento

Precios

Estado

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)

Embalaje

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
N123
Manufacture Package CodeSOT-23F

Paramétricos

Parameters / ModelsSSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
AEC-Q101Conform(*)
Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=3V], Ω2.4
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=5V], Ω1.8
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=3V], Ω1.2
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=5V], Ω0.8
FeaturesRelay Drivers
Gate threshold voltage (Max), V2.0
Gate threshold voltage (Min), V1.3
Generationπ-MOSⅤ
Input capacitance (Typ.), pF43
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch + Active Clamp Zener
Total gate charge (Typ.), nC1.5

Plan ecológico

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
RoHSObediente

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • MOSFETs