Datasheet Texas Instruments DRV5032ZEDBZR — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieDRV5032
Numero de parteDRV5032ZEDBZR
Datasheet Texas Instruments DRV5032ZEDBZR

Sensor de interruptor de efecto Hall de potencia ultrabaja de 1.65V a 5.5V 3-SOT-23 -40 a 85

Hojas de datos

DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor datasheet
PDF, 1.4 Mb, Revisión: C, Archivo publicado: sept 18, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin3
Package TypeDBZ
Industry STD TermSOT-23
JEDEC CodeR-PDSO-G
Package QTY3000
CarrierLARGE T&R
Device Marking2ZE
Width (mm)1.3
Length (mm)2.92
Thickness (mm)1
Pitch (mm).96
Max Height (mm)1.22
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

Bandwidth0.005,0.020 kHz
ICC0.00055,0.0016 mA
Operate Point(Max)4.8 mT
Operating Temperature Range-40 to 85 C
OutputPush-pull output driver, Open-drain
Package GroupSOT-23
Package Size: mm2:W x L3SOT-23: 4 mm2: 1.3 x 2.92(SOT-23) PKG
RatingCatalog
Release Point(Min)0.5 mT
Supply Voltage (Vcc)(Max)5.5 V
Supply Voltage (Vcc)(Min)1.65 V
TypeOmnipolar Switch,Unipolar Switch

Plan ecológico

RoHSObediente

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: DRV5032-SOLAR-EVM
    DRV5032 Ultra-Low Power, 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch Sensor Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Notas de aplicación

  • Power Gating Systems with Magnetic Sensors (Rev. A)
    PDF, 442 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: sept 7, 2017

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Sensing Products > Magnetic Sensors > Hall Effect Sensors > Digital Hall Effect Sensors