Datasheet Texas Instruments CSD87313DMS — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD87313DMS |
Numero de parte | CSD87313DMS |
MOSFET de potencia NexFET ™ de canal N dual de 30 V 8-WSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 1.1 Mb, Archivo publicado: abr 6, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
Pin | 8 |
Package Type | DMS |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Device Marking | CSD87313 |
Width (mm) | 3.3 |
Length (mm) | 3.3 |
Thickness (mm) | .75 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
Configuration | Dual Common Drain |
Package | SON3x3 mm |
QG Typ | 28 nC |
QGD Typ | 6.0 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.6 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 5.5 mOhms |
VDS | 30 V |
VGS | 10 V |
VGSTH Typ | 0.9 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Pb gratis | Sí |
Linea modelo
Serie: CSD87313DMS (2)
- CSD87313DMS CSD87313DMST
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor