Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD17318Q2 |
| Numero de parte | CSD17318Q2T |
MOSFET de potencia NexFET ™ de canal N de 30 V 6-WSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD17318Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 941 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: jul 18, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
| Pin | 6 |
| Package Type | DQK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Device Marking | 1718 |
| Width (mm) | 2 |
| Length (mm) | 2 |
| Thickness (mm) | .75 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 25 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 68 A |
| Package | SON2x2 mm |
| QG Typ | 6.0 nC |
| QGD Typ | 1.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 13.9 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 16.9 mOhms |
| VDS | 30 V |
| VGS | 10 V |
| VGSTH Typ | 0.9 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD17318Q2 (2)
- CSD17318Q2 CSD17318Q2T
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor