Datasheet Motorola MTD1N60E — Ficha de datos
| Fabricante | Motorola |
| Serie | MTD1N60E |
| Numero de parte | MTD1N60E |
Puerta de silicio en modo de mejora de canal N, obsoleta - Sin pieza de repuesto
Hojas de datos
TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount. N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Precios
Descripción detallada
Este MOSFET de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo.
Además, este avanzado TMOS E-FET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El nuevo diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido. Diseñados para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM, estos dispositivos son particularmente adecuados para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de áreas operativas seguras son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.
Caracteristicas
- Robusta terminación de alto voltaje
- Energía de avalancha especificada
- Tiempo de recuperación del diodo de origen a drenaje comparable a un diodo de recuperación rápido discreto
- El diodo se caracteriza por su uso en circuitos de puente
- IDSS y VDS (activado) especificados a temperatura elevada
- Paquete de montaje en superficie disponible en 16 mm, 13 pulgadas / 2500 Unidad de cinta y carrete, agregue el sufijo T4 al número de pieza
Clasificación del fabricante
- Discretes & Drivers > MOSFETs