Datasheet Microchip TP0604 — Ficha de datos
Fabricante | Microchip |
Serie | TP0604 |
Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
TP0604 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 642 Kb, Revisión: 06-22-2014
Extracto del documento
Precios
Estado
TP0604N3-G | TP0606N3-G | TP0606N3-G-P002 | TP0606N3-G-P003 | |
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Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
TP0604N3-G | TP0606N3-G | TP0606N3-G-P002 | TP0606N3-G-P003 | |
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N | 1 | 2 | 3 | 4 |
Package | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
Pins | 3 | 3 | 3 | 3 |
Paramétricos
Parameters / Models | TP0604N3-G | TP0606N3-G | TP0606N3-G-P002 | TP0606N3-G-P003 |
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BVdss min, V | -40 | -40 | -40 | -40 |
CISSmax, pF | 150 | 150 | 150 | 150 |
Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 | -55 to +150 | -55 to +150 | -55 to +150 |
Rds, on) max | 2 | 2 | 2 | 2 |
Vgs(th) max, V | -2.4 | -2.4 | -2.4 | -2.4 |
Plan ecológico
TP0604N3-G | TP0606N3-G | TP0606N3-G-P002 | TP0606N3-G-P003 | |
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RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: TP0604 (4)