Datasheet Microchip TP0604 — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieTP0604

Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

TP0604 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 642 Kb, Revisión: 06-22-2014
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Precios

Estado

TP0604N3-GTP0606N3-GTP0606N3-G-P002TP0606N3-G-P003
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

TP0604N3-GTP0606N3-GTP0606N3-G-P002TP0606N3-G-P003
N1234
PackageTO-92TO-92TO-92TO-92
Pins3333

Paramétricos

Parameters / ModelsTP0604N3-GTP0606N3-GTP0606N3-G-P002TP0606N3-G-P003
BVdss min, V-40-40-40-40
CISSmax, pF150150150150
Operating Temperature Range, °C-55 to +150-55 to +150-55 to +150-55 to +150
Rds, on) max2222
Vgs(th) max, V-2.4-2.4-2.4-2.4

Plan ecológico

TP0604N3-GTP0606N3-GTP0606N3-G-P002TP0606N3-G-P003
RoHSObediente

Linea modelo