Datasheet Microchip VN2106 — Ficha de datos
Fabricante | Microchip |
Serie | VN2106 |
Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revisión: 12-23-2008
Extracto del documento
Precios
Estado
VN2106N3-G | |
---|---|
Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
VN2106N3-G | |
---|---|
N | 1 |
Package | TO-92 |
Pins | 3 |
Paramétricos
Parameters / Models | VN2106N3-G |
---|---|
BVdss min, V | 60 |
CISSmax, pF | 50 |
Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 |
Rds, on) max | 4.0 |
Vgs(th) max, V | 2.4 |
Plan ecológico
VN2106N3-G | |
---|---|
RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: VN2106 (1)