Datasheet Microchip VN2106N3-G — Ficha de datos
Fabricante | Microchip |
Serie | VN2106 |
Numero de parte | VN2106N3-G |
Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revisión: 12-23-2008
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
Package | TO-92 |
Pins | 3 |
Paramétricos
BVdss min | 60 V |
CISSmax | 50 pF |
Operating Temperature Range | -55 to +150 °C |
Rds | 4.0 on) max |
Vgs(th) max | 2.4 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: VN2106 (1)
- VN2106N3-G
Otros nombres:
VN2106N3G, VN2106N3 G