Datasheet Microchip VN2106N3-G — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieVN2106
Numero de parteVN2106N3-G

Este transistor en modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revisión: 12-23-2008
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

PackageTO-92
Pins3

Paramétricos

BVdss min60 V
CISSmax50 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds4.0 on) max
Vgs(th) max2.4 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: VN2106 (1)
  • VN2106N3-G

Otros nombres:

VN2106N3G, VN2106N3 G